2026年10月14日，在深圳举办的湾芯展上，国内半导体设备龙头中微公司集中推介了两款高端设备：面向先进存储芯片的Primo XD-RIE极高深宽比刻蚀设备，以及面向先进逻辑与存储的Prefima Unicore 12英寸ALD钨设备。据披露，中微公司近年持续加大研发投入，研发力度与新品数量不断扩大，被业界形容为在建“国产半导体军火库”。这些新品的集中亮相，反映出国产设备正从成熟制程向高深宽比刻蚀、原子级沉积等前沿环节快速推进，也为配套的湿法清洗设备提出了新的技术要求。
高深宽比结构对清洗的新要求
Primo XD-RIE面向先进存储芯片的高深宽比刻蚀，意味着刻蚀出的结构深宽比越来越大、孔洞越来越深。这种结构在刻蚀完成后，侧壁与底部会残留刻蚀副产物与颗粒，常规清洗难以彻底清除，需要兆声波清洗、二流体清洗与超长时间的漂洗配合。深孔内的液体还容易因表面张力而残留，对旋转甩干与干燥工艺提出了更高要求。可以说，刻蚀与沉积设备越先进，前道与后道清洗的技术难度就越大。
ALD钨设备带动原子级工艺
12英寸ALD钨设备代表了原子级沉积的方向。ALD工艺在晶圆表面逐层沉积薄膜，对沉积前的表面洁净度要求极高，任何微小颗粒或自然氧化层都会影响薄膜质量。因此，ALD设备前后都需要高精度的单片清洗与甩干配合，确保晶圆表面处于原子级洁净状态。这也是原子级工艺与湿法清洗深度绑定的体现：沉积设备越先进，配套清洗设备的价值量与技术要求越高。
国产设备集群崛起的意义
中微公司等国产设备龙头在湾芯展上集中发布新品，标志着国产半导体设备已在刻蚀、沉积、清洗、炉管等多个环节形成集群优势。这种集群化发展，有助于晶圆厂在本土完成整线配套，降低对单一海外供应商的依赖。对于湿法清洗与甩干设备厂商而言，国产设备集群的崛起既是竞争，也是协同——围绕同一批国产晶圆厂客户，清洗设备与刻蚀、沉积设备形成配套生态。
清洗设备如何跟上工艺微缩
当刻蚀深宽比从十几比一提升到几十比一、ALD薄膜厚度缩小到原子量级时，传统的喷淋加甩干已经难以满足要求。设备厂商需要引入兆声波辅助清洗，利用高频空化效应把颗粒从深孔底部“震”出来；同时采用二流体喷雾，以细小液滴高效带走深孔内壁残留。干燥环节则需要更长的热氮气吹扫时间，防止深孔内留下水痕。这些技术升级，正是国产清洗设备厂商围绕先进工艺持续研发的方向，也是其从成熟制程走向先进制程、实现国产替代的必经之路，技术价值量随之提升，也为国产清洗设备厂商打开了新的升级空间与更广阔的市场机遇。
在配套高深宽比刻蚀与ALD工艺的湿法清洗方面，河北中科微电子有限公司提供全自动单片晶圆清洗机、二流体晶圆清洗机、单片清洗甩干机（SG-8-12-2D）及检测灯（QG-150/QG-250）等设备，可满足深孔清洗、原子级洁净与外观检测需求。如需了解高深宽比结构清洗方案，欢迎咨询热线：17177768881。
