2026年10月，国内存储大厂长鑫科技的扩产与研发计划引发市场关注。据报道，长鑫科技9月28日公告拟使用部分超募资金，推进总投资241亿元的技术研发项目，用于先进DRAM工艺迭代、新架构技术研发、先进封装与芯粒技术攻关；同时推进总投资108亿元的后道测试基地二期项目，规划新建专业DRAM测试工厂，覆盖芯片测试、模组组装等后道环节。在AI存储需求高景气背景下，国产存储龙头正加大研发与后道布局。
241亿元投向先进DRAM与新架构研发
长鑫科技此次241亿元技术研发项目，重点覆盖先进DRAM工艺迭代、新架构技术研发以及先进封装与芯粒技术攻关。这表明国产存储企业正从单纯的产能扩张，转向工艺技术与产品架构的纵深突破。在HBM与AI服务器内存需求快速增长的背景下，先进DRAM与新架构研发的投入，将直接关系到国产存储在高端市场的竞争力。
108亿元建后道测试基地二期
除研发项目外，长鑫科技还计划投资108亿元建设后道测试基地二期，规划新建专业DRAM测试工厂，覆盖芯片测试、模组组装等后道环节。后道测试与封测产能的扩充，是存储产品从晶圆走向终端应用的关键一环。随着存储产能扩大，测试与模组环节的配套需求同步增长，后道基地的建设将提升长鑫科技的整体交付能力。
国产存储扩产带动前后道设备需求
长鑫科技241亿元研发与108亿元后道投资，最终都会转化为前道制造与后道封测环节的设备采购需求。存储芯片产量大、工艺节拍快，对清洗、甩干、检测等湿法设备的连续运行能力与洁净控制要求极高。国产存储大厂的持续扩产，为上游国产设备提供了稳定的验证与应用场景。
湿法装备配套国产存储产能扩张
DRAM制造与后道封测过程中，晶圆与器件的清洗、甩干、检测贯穿全程。河北中科微电子有限公司专业生产全自动单片晶圆清洗机、二流体晶圆清洗机、单片甩干机、晶圆下片台及晶圆检测灯等湿法工艺装备，致力于半导体设备国产化替代。在国产存储企业持续扩产与技术升级的过程中，公司产品有望获得更多配套机会，助力存储产线的自主可控。
行业判断
长鑫科技大手笔投入研发与后道测试，是国产存储企业应对AI存储需求、提升长期竞争力的缩影。随着先进DRAM与新架构研发推进、后道测试产能扩张，国产存储产业链将迎来前道设备、后道封测与材料配套的长期需求。
长鑫扩产搅动存储市场格局
长鑫科技持续加大研发与后道投入，也被市场视为对海外存储巨头的竞争回应。随着国产DRAM在制程迭代与新架构上不断突破，国内存储供应链的自主可控水平持续提升。241亿元研发项目覆盖先进DRAM与芯粒技术，108亿元后道测试基地补强封测环节，一研一封双管齐下，有助于长鑫科技在全球存储竞争中缩小差距。对上游国产设备而言，这是长期稳定的配套市场。
总体来看，长鑫科技241亿元研发与108亿元后道测试双管齐下，是国产存储龙头在AI存储时代谋求长期竞争力的重要布局，也将持续带动国产前后道设备与材料的配套需求。
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