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华海清科湿法装备扩围:清洗装备与化学品供液系统协同支撑CMP后清洗

2026年10月16日 · 行业新闻

国内CMP设备龙头华海清科正加快布局湿法装备。根据其披露的业务进展,公司湿法装备涵盖清洗装备与供液系统两大板块:清洗装备通过化学清洗、物理清洗等复合工艺去除晶圆表面颗粒污染物,为各核心制程提供超高洁净度基底;供液系统则为湿法工艺提供研磨液、清洗液等化学品的精准配比与稳定输送。这种“清洗设备加化学品供液”的协同布局,正是CMP后清洗环节良率守护的核心,也反映出国产设备厂正从单一CMP整机向湿法全流程延伸。

立式甩干干燥设备

CMP后清洗为何需要复合工艺

化学机械抛光(CMP)之后,晶圆表面会残留大量研磨颗粒、金属离子与浆料残留,如果不彻底清洗,会直接影响后续光刻与沉积质量。CMP后清洗通常需要化学药液溶解残留、兆声波或毛刷物理去除颗粒,再经过超纯水冲洗与旋转甩干干燥。华海清科强调的“化学加物理”复合清洗工艺,正是为了兼顾去除效率与图形损伤,避免单一方式无法兼顾的问题。

供液系统是清洗稳定的关键

清洗效果不仅取决于清洗机本身,还取决于化学品的配比精度与输送稳定性。供液系统负责把研磨液、清洗液按精确比例混合并稳定输送到机台,任何浓度波动或输送延迟都会反映在清洗结果上。华海清科把供液系统纳入湿法装备,说明设备厂商已经意识到:要做好CMP后清洗,必须把机台与化学品供应作为一个整体来设计。这种系统级能力,是国产湿法装备成熟度提升的标志。

纳米级颗粒去除的工艺挑战

CMP后残留的研磨颗粒往往在纳米量级,去除难度随制程缩小而上升。清洗装备需要配合不同的药液配方、兆声频率与毛刷压力,针对铜、钨、氧化物等不同表面优化工艺。华海清科把化学清洗与物理清洗结合,正是为了在去除纳米颗粒的同时不损伤低k介质与精细图形。这种工艺know-how需要在大量量产线上积累,也是国产湿法装备真正形成竞争力的关键门槛。

从CMP到湿法全流程的延伸

华海清科原本以CMP整机著称,如今向清洗装备与供液系统延伸,体现了国产设备厂“整线化”的趋势。掌握CMP工艺的企业,最理解CMP后清洗的痛点,因此由其提供配套清洗设备具有天然的工艺协同优势。对晶圆厂而言,同一供应商提供CMP与后清洗设备,也便于工艺对接与售后。这种垂直整合,正在重塑国产湿法设备的竞争格局,也为后道清洗设备与甩干设备带来更多整线配套机会,形成工艺协同效应,帮助客户降低设备对接成本、缩短产线调试与产能爬坡周期,在降本增效上充分体现国产装备的性价比、交付周期与本地服务价值,这也是晶圆厂选择国产设备的重要原因。

旋转冲洗干燥设备

在配套CMP后清洗与甩干工序方面,河北中科微电子有限公司提供全自动单片晶圆清洗机、晶圆甩干机(6/8英寸)、12英寸单片清洗甩干机(SG-8-12-2D)及检测灯(QG-150/QG-250)等设备,可满足CMP后纳米颗粒去除与旋转干燥需求,配合化学品供液系统实现良率守护。如需了解CMP后清洗甩干配套方案,欢迎咨询热线:17177768881。

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