2026年SEMI表面制备与清洗大会（Surface Preparation & Cleaning Conference）公布的一批最新工艺成果，集中反映了先进节点对晶圆清洗提出的新挑战。其中一项引人关注的进展是：通过稀释硫酸过氧化氢清洗（dilute SPM）实现了约3.59倍的底部容器填充与顶部容器填充（BCF:TCF）选择比，解决了传统含氟化学液对不同薄膜刻蚀速率相近、导致容器短路与良率损失的问题。这一工艺突破，正是清洗化学在先进DRAM节点上的典型应用。
选择比为何成为先进清洗关键
在先进存储与逻辑节点中，晶圆表面往往叠放着氮化硅、氧化硅、多晶硅等多种薄膜。清洗的目标往往是“只去掉某一层或某一类污染，而不损伤其他薄膜”。如果清洗化学液对不同薄膜的刻蚀速率相近（选择比低），就会在去除目标的同时损伤不该动的结构，造成短路或形貌异常。稀释SPM通过精确控制硫酸、双氧水与水的比例，把对不同薄膜的刻蚀速率拉开，从而在不牺牲目标去除率的前提下保护结构，这正是高选择比清洗的价值。
从化学配方到机台实现
高选择比清洗不仅是化学配方问题，还需要清洗机台精确控制药液浓度、温度、流量与作用时间。单片清洗机通过独立的药液混合与分配系统，能够在单片晶圆上实现稳定可重复的稀释SPM工艺，并配合兆声或喷淋增强去除效果。设备厂商与材料厂商的协同，把实验室中的选择比优势转化为量产线上的稳定良率，是先进清洗落地的关键。
稀释SPM对设备的要求
稀释硫酸过氧化氢对设备的药液混合、温度控制与安全防护提出了更高要求。硫酸与双氧水混合会放热，精确控制配比与温度才能保证选择比稳定，同时降低安全风险。单片清洗机需要独立的高温药液分配、实时浓度监控与废气处理，并在单片晶圆上重复一致地施加工艺。这要求设备厂商不仅理解化学配方，还具备精密流体控制与安全工程能力，二者缺一不可。
清洗工艺跟随节点持续演进
每一代新节点都会带来新的薄膜组合与新的清洗难点。从RCA标准清洗到高温SPM、稀释化学液、兆声辅助清洗，清洗工艺始终在跟随制程演进。SEMI大会上的这些进展说明，清洗环节虽然不起眼，却直接决定先进节点能否顺利量产。对国产清洗设备厂商而言，紧跟这些工艺趋势、提前在配方与机台上布局，是国产清洗设备切入先进制程市场、实现从可用到好用、从成熟制程到先进制程跨越的必由之路，需要长期的研发投入、工艺验证与量产数据积累，非一朝一夕之功，但每一步技术积累都会转化为客户的信任、复购意愿与长期稳定的合作订单，这正是国产设备最宝贵的无形资产与市场口碑。
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