2026年10月，存储行业涨价预期持续强化。据TrendForce预测，2026年第四季度Conventional DRAM、HBM Blended及NAND Flash合约价将分别环比上涨10%至15%、15%至20%和15%至20%。另据Counterpoint数据，2026年三季度DRAM价格已环比上涨10%至20%，存储供需偏紧局面有望延续至2027年。AI算力需求爆发正推动存储行业进入新一轮景气上行周期。
Q4三大存储品类合约价齐涨
TrendForce预计2026年四季度传统DRAM合约价环比上涨10%至15%，HBM混合合约价上涨15%至20%，NAND Flash合约价同样上涨15%至20%。三大存储品类同步涨价，反映出AI服务器对HBM、高容量SSD与服务器DRAM的旺盛需求。HBM涨幅最大，因其直接供应AI加速卡，供需最为紧张。传统DRAM与NAND也受AI数据中心扩建带动，需求持续超预期。
Q3 DRAM已率先涨价10%至20%
Counterpoint数据显示，2026年三季度DRAM价格已环比上涨10%至20%，开启了本轮存储涨价周期。进入四季度，涨价势头不仅未减，反而在HBM与NAND环节进一步扩大。行业普遍认为，存储供需偏紧的局面将延续至2027年，AI算力建设对存储的拉动是长期性的，而非短期脉冲。
AI需求驱动存储行业景气上行
本轮存储涨价的根本动力来自AI。大模型训练与推理对HBM、高带宽服务器内存以及高容量企业级SSD的需求持续爆发，带动存储原厂满产扩产。在AI算力投资周期中，存储已从配套环节升级为核心瓶颈之一。存储大厂纷纷上调资本开支、扩产HBM与先进DRAM，以应对持续增长的需求。HBM产能的扩张还挤占了传统DRAM产能，进一步放大了通用存储的供需缺口，形成全品类涨价的局面，原厂盈利与资本开支有望同步改善，进而带动新一轮设备采购与扩产周期。
存储扩产带动清洗检测设备需求
存储涨价与扩产相互促进：价格上行带动原厂盈利改善，进而加大资本开支；扩产则拉动设备采购。存储芯片产量大、工艺节拍快，对晶圆清洗、甩干、检测等湿法设备的连续运行能力与洁净控制要求极高。河北中科微电子有限公司专业生产全自动单片晶圆清洗机、二流体晶圆清洗机、单片甩干机、晶圆下片台及晶圆检测灯等湿法工艺装备，致力于半导体设备国产化替代。在存储行业景气上行周期中，公司产品持续服务于存储产线配套。
行业判断
TrendForce与Counterpoint对存储涨价的预测一致，表明存储行业正处于明确的上行周期。AI算力需求驱动下，存储合约价上涨有望延续至2027年，存储原厂扩产将带动前后道设备需求持续释放。
存储供需偏紧延续至2027年
多家机构判断，存储供需偏紧的局面将延续至2027年。一方面，AI服务器对HBM与高容量DRAM的需求持续超预期增长；另一方面，存储原厂的产能扩张受限于设备交期与建设周期，短期难以快速释放。HBM挤占传统DRAM产能，进一步加剧了通用存储的供应紧张。在供需两旺的格局下，存储合约价有望维持上行趋势，原厂盈利与资本开支也将同步改善。
总体来看，存储合约价Q4续涨10%至20%且供需偏紧延续至2027年，标志着存储行业进入明确上行周期，原厂扩产将持续带动前后道设备与材料的国产配套需求，产业链景气度有望长期维持高位运行的良好态势。
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