2026年10月15日，长飞先进在深圳举行以"巅峰之上·跨越四年的技术长征"为主题的技术发布会，正式对外亮相自主研发的高性能碳化硅MOSFET系列芯片及技术路线。随着新能源汽车800V至1000V+高压平台与超快充技术普及，以及AI数据中心高压直流供电需求兴起，碳化硅MOSFET的战略地位日益凸显，应用版图持续扩大。国产碳化硅器件企业正加速从材料向核心器件突破。
高性能SiC MOSFET系列正式亮相
长飞先进此次发布的高性能碳化硅MOSFET系列芯片，是公司四年技术积累的集中成果。碳化硅MOSFET是新能源汽车主驱逆变器、车载充电机、充电桩以及AI数据中心高效电源的核心功率器件。相比传统硅基IGBT，碳化硅器件具备更高耐压、更低导通损耗与更高工作频率，是高压平台提升能效与续航的关键。长飞先进推出自主系列，标志着国产碳化硅器件在核心产品上再进一步。
应用从汽车拓展至AI数据中心供电
碳化硅MOSFET的应用版图正在从新能源汽车延伸至AI数据中心。随着AI服务器功耗与供电电压提升，数据中心对高效、高功率密度电源的需求快速增长，碳化硅器件在高压直流供电与电源模块中具备效率优势。长飞先进在发布中明确将800V至1000V+高压平台、超快充以及AI数据中心高压直流供电作为重点方向，显示出碳化硅器件多场景放量的趋势。
国产SiC从衬底走向器件闭环
近年来，国内碳化硅产业链从衬底、外延到器件制造持续突破。长飞先进等企业推出自主MOSFET系列，意味着国产碳化硅正加速形成从材料到器件的闭环能力。在车规与算力电源需求双轮驱动下，国产碳化硅器件企业有望在全球市场中获得更多份额，产业链自主可控水平持续提升。
SiC器件制造带动湿法清洗检测设备
碳化硅MOSFET器件制造过程中，晶圆与器件的清洗、甩干、检测是保障性能与可靠性的关键工序。碳化硅材料硬度高、加工难度大，对湿法工艺装备的稳定性与洁净控制要求尤为严苛。河北中科微电子有限公司位于河北省邯郸市复兴区，专业研发制造全自动单片晶圆清洗机、单片清洗甩干机、晶圆下片台及晶圆检测灯等湿法工艺装备，致力于第三代半导体与功率器件产线的国产化配套。在国产碳化硅器件加速放量的过程中，公司产品持续服务于相关产线。
行业判断
长飞先进高性能SiC MOSFET系列发布，是国产碳化硅器件向高端核心产品迈进的重要一步。随着800V高压平台与AI数据中心供电需求增长，碳化硅器件市场空间持续打开，国产器件及其制造检测设备将迎来长期发展机遇。
车规与算力双轮驱动SiC器件放量
碳化硅MOSFET的需求增长来自两大引擎：一是新能源汽车800V高压平台的快速普及，主驱逆变器从硅基IGBT向碳化硅方案升级；二是AI数据中心功率密度提升，高压直流供电对高效功率器件需求增加。长飞先进选择此时发布高性能系列，正是瞄准车规与算力电源两大高增长场景。随着国产碳化硅器件性能不断追近国际水平，国产替代与出口潜力都在打开。
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