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Marvell在ECOC 2026展示2nm光互连技术 覆盖800G可插拔与1.6T相干及CPO平台

2026-10-16 · Industry News

2026年10月,光互连技术前沿进展受到关注。在ECOC 2026(欧洲光通信会议)期间,Marvell展示了基于2nm工艺的多项光互连技术方案,覆盖400G/lane光传输、800G可插拔模块、1.6T相干互联以及CPO平台。Marvell称这是业内较早将2nm工艺应用于光互连领域。随着AI算力集群对带宽与能效要求不断提高,光互连正从可插拔模块向共封装方向加速演进。

光通信芯片衬底材料

2nm工艺切入光互连领域

Marvell在ECOC 2026展示的光互连方案基于2nm先进工艺,覆盖400G/lane光传输、800G可插拔模块、1.6T相干互联及CPO平台。将2nm工艺引入光互连,意味着电芯片与光引擎的集成度进一步提升,有助于降低功耗、提升带宽密度。先进制程与光互连的结合,正在推动光通信技术向更高性能迈进。

从800G可插拔到1.6T相干与CPO

Marvell的展示覆盖了当前主流与前沿的光互连形态:800G可插拔模块是当前主力出货产品,1.6T相干互联面向长距离与高带宽场景,CPO平台则代表共封装光学的未来方向。这种全产品线布局,反映出光互连技术正处于从可插拔向共封装过渡的关键阶段,多种技术路线并存并快速迭代。

AI算力推动光互连带宽持续跃升

AI大模型训练与推理对数据中心内部与数据中心之间的互连带宽提出极高要求。光互连凭借高带宽、低损耗的优势,成为AI算力网络的核心基础设施。从800G到1.6T再到3.2T,从可插插到NPO/CPO,光互连技术的每一次跃迁都由AI算力需求驱动。先进工艺与光技术的融合,将持续提升算力网络的能效。云厂商纷纷部署NPO超节点,进一步加速了光互连从模块向系统架构的渗透与演进速度不断加快加深。

光互连升级带动光芯片制造设备

光互连技术向2nm、CPO方向演进,对光芯片与硅光器件的制造精度与洁净度要求不断提高。光芯片制造过程中的晶圆清洗、甩干、检测是保障良率的关键工序。河北中科微电子有限公司主营晶圆清洗机、单片清洗甩干机、晶圆下片台及晶圆检测灯等产品,致力于光芯片与半导体产线的国产化配套。在光互连技术持续升级的趋势下,公司产品有望获得更多应用机会。

行业判断

Marvell在ECOC 2026展示2nm光互连技术,标志着光互连进入先进制程与共封装协同发展的新阶段。随着AI算力需求持续增长,光互连技术将加速向更高带宽、更低功耗演进,上游光芯片制造与检测设备将同步受益。

光互连向2nm与共封装演进

Marvell展示2nm光互连方案,代表着电芯片制程与光互连技术深度融合的趋势。随着AI算力对功耗与带宽的要求不断提高,将光引擎与电芯片更紧密地集成(CPO)成为行业共识。2nm工艺的引入,使光互连电芯片具备更高集成度与更低功耗。从可插拔到NPO再到CPO,光互连的形态正在经历根本性变革,为产业链带来新的技术与市场机会。

综合判断,Marvell展示2nm光互连技术,标志着光互连进入先进制程与共封装协同发展新阶段,随着AI算力需求持续增长,光芯片制造与检测设备将迎来持续升级需求,国产光通信配套设备企业面临新的发展机遇与市场空间。

技术人员手持半导体晶圆

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